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하드웨어(기기)에 관해 조금 더 심도 있는 이야기를 나누는 포럼 게시판입니다 (얼리어답터 성향이 강한 토론주제)

링크 : https://news.samsung.com/global/samsung-...oi-process 

 

삼성이 28nm FD-SOI 공정을 사용해 eMRAM(자기 랜덤 액세스 메모리)의 양산을 시작했다고 발표했습니다. 

 

eMRAM은 낸드 플래시나 NOR 플래시와 다르게 데이터 기록 과정에서 삭제 사이클이 필요 없기에 쓰기 속도가 1000배 빠릅니다. 또 전압이 낮고 파워 오프 모드에서 전력 소모도 없어 전력 효율이 높습니다. 쓰기 소비 전력은 기존 임베디드 메모리의 1/400.

 

트랜지스터 제어와 바디 바이어스 제어를 개선해 누설 전류를 줄여, MCU, IoT, AI 등에 활용합니다. 현재 고밀도/대용량 작업이 진행 중이며 올해 안에 1Gb 테스트 칩을 테이프 아웃할 예정. 

 

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